كربيد السيليكون (SiC) مادة كاشطة بالغة الأهمية وشائعة الاستخدام في تصنيع عجلات الطحن وأقراص القطع. خصائصه الفيزيائية والكيميائية الفريدة تجعله لا غنى عنه في تطبيقات محددة. ستركز هذه المقالة على جانبين رئيسيين: سبب استخدام كربيد السيليكون وعملية الإنتاج. 1. لماذا تختار كربيد السيليكون كمادة كاشطة؟ كربيد السيليكون مادة صناعية عالية الصلابة، بصلابة موس 9.5، لا

碳化硅（SiC）确实可以用于耐磨地坪涂料。其高硬度、优异的耐磨性以及化学稳定性使其成为高性能涂料的理想选择。以下是详细分析： 1、碳化硅在耐磨涂层中的优势 超高硬度：碳化硅的莫氏硬度为9.2（仅次于金刚石和立方氮化硼），具有显著的抗划伤和磨损性能，适用于人流量大或重负荷的环境（如工厂、仓库和停车场）。 耐化学腐蚀：耐酸、耐碱、耐溶剂性能强，适用于化工厂、实验室等腐蚀环境。 耐高温：可耐高温（约1600℃以上），适用于高温车间或需要热清洗的场所。 低摩擦系数：减少表面磨损，延长使用寿命。 2.实际应用中的注意事项 （1）涂层形式 复合涂层：纯碳化硅涂层因脆性较大可能开裂，通常与其他材料复合使用： 聚合物基复合材料：如环氧树脂+碳化硅颗粒，提高地坪的耐磨性（常用于工业地坪）。 陶瓷涂层：通过热喷涂或溶胶-凝胶法将SiC与其他陶瓷（如Al₂O₃）复合，用于极端环境下使用。 金属基复合材料：将SiC颗粒添加到金属涂层（如镍基涂层）中，增强耐磨性。 （2）施工工艺 喷涂技术：SiC涂层可采用等离子喷涂或冷喷涂，但需优化工艺，避免孔隙率和结合强度不够。 分散均匀性：若以颗粒形式添加，必须保证分散均匀，避免局部薄弱环节。 （3）成本与性价比 碳化硅价格相对较高，通常用于需要极强耐磨性的场景（如矿山、航空航天设施）。普通商用地坪可选择更为经济的替代方案（如石英砂/氧化铝增强涂层）。 3、替代品比较 氧化铝（Al₂O₃）：硬度稍低（莫氏9.0），但成本较低，广泛用于工业地坪。 碳化钨（WC）：硬度相似，但价格较高，多用于超高压环境。 金刚石粉：性能最好，但成本极高，仅限于特殊用途。 4、实际案例 工业地坪：有些高端厂房采用环氧树脂+碳化硅复合涂层，耐磨性比普通环氧地坪提高3-5倍。 高温设施：冶金厂的热处理车间可能采用SiC基陶瓷涂层。 实验室/洁净室：利用 SiC 的化学惰性来防止污染。 结论： 碳化硅适用于要求严格的耐磨地坪涂层，但复合材料形式和工艺的选择取决于具体要求（成本、环境和应用条件）。对于大多数常规应用，氧化铝或石英增强涂层可能更具成本效益。然而，对于极端磨损、腐蚀或高温环境，碳化硅是理想的选择。

碳化硅（SiC）作为第三代半导体的核心材料，凭借其优异的物理和电学特性，正在深刻改变着多个领域。下表总结了其主要应用和优势，方便快速概览： 应用领域 主要应用场景 碳化硅（SiC）的优势 相关技术/产品实例 新能源汽车 主驱动逆变器、车载充电器（OBC）、DC-DC转换器 提高效率、增加续驶里程（据称可增加 6%8）、减少系统重量和体积 混合 SiC 模块1、SiC MOSFET 充电基础设施 直流快速充电站 提高充电效率、支持大功率快速充电、减少充电时间 光伏发电及储能 PV 逆变器、储能转换器（PCS） 提高光电转换效率（据称 SiC 二极管比硅基系统可提高 1.5% 至 2%6）、降低系统损耗、提高功率密度 SiC 二极管6、SiC MOSFET 工业电源及数据中心 服务器电源、电信电源、不间断电源（UPS） 提高电源效率、提高功率密度、降低能耗和散热要求东芝650V SiC MOSFET 5G通信和射频器件射频功率放大器、滤波器等半绝缘碳化硅基射频半导体器件，具有优异的高频、高温和大功率性能。 智能可穿戴设备和AR/光波导：用于AR眼镜和超薄镜片的衍射波导。高折射率、高硬度和高热导率可实现宽视场、全彩成像，消除光学伪影，并有助于实现器件薄型化、轻量化（例如，厚度仅为0.55毫米的AR镜片）和降低成本（预计未来基板成本将大幅下降）。由12英寸碳化硅锭制成的高纯度半绝缘基板和超薄碳化硅衍射波导。 轨道交通与智能电网：牵引变流器、电力电子变压器（PET）、高压直流输电。高耐压、低损耗提升系统效率和可靠性。 碳化硅器件的主要类型 碳化硅主要用于半导体工业制造以下器件，这些器件是上述应用的基础： 碳化硅 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）：特别适用于高频、高压、高效应用，例如新能源汽车的主逆变器。目前的技术已实现低导通电阻（例如，扬杰科技第三代 SiC MOS 平台的导通电阻低于 3.33mΩ.cm²³）和高温工作（例如，英飞凌的 CoolSiC™ MOSFET G2 系列可在 175°C 的正常工作温度和 200°C 的过载条件下工作）。 碳化硅二极管（主要是肖特基势垒二极管 (SBD)）：几乎没有反向恢复电流，特别适合高频开关应用，例如光伏逆变器和车载充电器，可显著降低开关损耗。 碳化硅模块：将多个碳化硅芯片（如MOSFET、二极管等）集成封装，形成功率模块。例如，用于新能源汽车的主驱动模块，具有功率密度更高、可靠性更高等优势。

كربيد السيليكون الأسود

يُعد كربيد السيليكون (SiC) مادة تقوية مثالية في المواد اللاصقة المقاومة للتآكل، نظرًا لصلابته العالية ومقاومته للتآكل ودرجات الحرارة العالية وثباته الكيميائي. يجب تحسين طريقة تطبيقه بما يتناسب مع خصائص مصفوفة المادة اللاصقة وظروف استخدامها. فيما يلي طرق إضافة وتقنيات تطبيق محددة:

كربيد السيليكون في صناعة الطيران